Name: NVD5117PLT4G-VF01
Brand: onsemi
SKU: NVD5117PLT4G-VF01TR-ND
Price: 3.66 USD
Availability: OutOfStock

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NVD5117PLT4G-VF01
N.º de producto de DigiKey	NVD5117PLT4G-VF01TR-ND - Cinta y rollo (TR) NVD5117PLT4G-VF01CT-ND - Cinta cortada (CT) NVD5117PLT4G-VF01DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVD5117PLT4G-VF01
Descripción	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 11 A (Ta), 61 A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) DPAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11 A (Ta), 61 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	16mOhm a 29A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4800 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	4.1W (Ta), 118W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	NVD5117

NVD5117PLT4G-VF01