Name: NVMFS5113PLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS5113PLT1GOSTR-ND
Price: 3 USD
Availability: OutOfStock

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NVMFS5113PLT1G
N.º de producto de DigiKey	NVMFS5113PLT1GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NVMFS5113PLT1GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NVMFS5113PLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMFS5113PLT1G
Descripción	MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NVMFS5113PLT1G Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10A (Ta), 64A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	14mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	83 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4400 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN, 5 conductores
Número de producto base	NVMFS5