Name: NVMFS5C673NLWFAFT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS5C673NLWFAFT1GOSTR-ND
Price: 1.8 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

NVMFS5C673NLWFAFT1G
N.º de producto de DigiKey	NVMFS5C673NLWFAFT1GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NVMFS5C673NLWFAFT1GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NVMFS5C673NLWFAFT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMFS5C673NLWFAFT1G
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 50A (Tc) 46W (Tc) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NVMFS5C673NLWFAFT1G Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	50A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9.2mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 35µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	9.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	880 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN, 5 conductores
Número de producto base	NVMFS5