Name: NVMFWS1D1N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFWS1D1N04XMT1GTR-ND
Price: 2.55 USD
Availability: OutOfStock

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NVMFWS1D1N04XMT1G
N.º de producto de DigiKey	488-NVMFWS1D1N04XMT1GCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-NVMFWS1D1N04XMT1GDKR-ND - Digi-Reel® 488-NVMFWS1D1N04XMT1GTR-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMFWS1D1N04XMT1G
Descripción	SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 40 V 44A (Ta), 233A (Tc) 104W (Tc) 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	44A (Ta), 233A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.05mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.5V a 120µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	49.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3138 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie, lateral humedecible
Paquete del dispositivo del proveedor	5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN, 5 conductores
Número de producto base	NVMFWS