Name: NVMYS025N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: NVMYS025N06CLTWGOSTR-ND
Price: 1.07 USD
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NVMYS025N06CLTWG
N.º de producto de DigiKey	NVMYS025N06CLTWGOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NVMYS025N06CLTWGOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NVMYS025N06CLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVMYS025N06CLTWG
Descripción	MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 8.5A (Ta), 21A (Tc) 3.8W (Ta), 24W (Tc) LFPAK4 (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NVMYS025N06CLTWG Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8.5A (Ta), 21A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	27.5mOhm a 7.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 13µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	330 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 24W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	LFPAK4 (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-1023, 4-LFPAK
Número de producto base	NVMYS025