NVTFS4823NWFTWG es obsoleto y ya no se fabrica.
Reemplazos disponibles:

MFR recomendado


onsemi
En stock: 0
Precio por unidad : $0.00000
Hoja de datos

Similar


onsemi
En stock: 0
Precio por unidad : $1.31000
Hoja de datos

Similar


onsemi
En stock: 405
Precio por unidad : $0.00000
Hoja de datos

Similar


onsemi
En stock: 0
Precio por unidad : $1.36000
Hoja de datos

Similar


Infineon Technologies
En stock: 0
Precio por unidad : $0.31000
Hoja de datos

Similar


Texas Instruments
En stock: 0
Precio por unidad : $1.10000
Hoja de datos

Similar


Texas Instruments
En stock: 0
Precio por unidad : $1.01000
Hoja de datos

Similar


Texas Instruments
En stock: 0
Precio por unidad : $0.57000
Hoja de datos

Similar


Texas Instruments
En stock: 159
Precio por unidad : $1.04000
Hoja de datos

Similar


Diodes Incorporated
En stock: 0
Precio por unidad : $0.33000
Hoja de datos

Similar


Diodes Incorporated
En stock: 0
Precio por unidad : $0.00000
Hoja de datos

Similar


Rohm Semiconductor
En stock: 0
Precio por unidad : $0.50000
Hoja de datos

Similar


Rohm Semiconductor
En stock: 0
Precio por unidad : $0.49000
Hoja de datos

Similar


Vishay Siliconix
En stock: 0
Precio por unidad : $1.20000
Hoja de datos
8 PowerWDFN
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

NVTFS4823NWFTWG

N.º de producto de DigiKey
NVTFS4823NWFTWG-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Número de pieza del fabricante
NVTFS4823NWFTWG
Descripción
MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 30 V 13 A (Ta) 3.1W (Ta), 21W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
NVTFS4823NWFTWG Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
10.5mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
750 pF @ 12 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
3.1W (Ta), 21W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Uso automotriz
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Obsoleto
Este producto ya no se fabrica. Ver Reemplazos.
No cancelable/No retornable