NVTFS5811NLWFTWG onsemi | Productos semiconductores discretos

NVTFS5811NLWFTWG es obsoleto y ya no se fabrica.

Reemplazos disponibles:

MFR recomendado

onsemi

En stock: 0

Precio por unidad : $1.77000

Similar

onsemi

En stock: 0

Precio por unidad : $2.60000

Similar

Rohm Semiconductor

En stock: 0

Precio por unidad : $2.52000

Similar

Rohm Semiconductor

En stock: 2,884

Precio por unidad : $1.49000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

NVTFS5811NLWFTWG
N.º de producto de DigiKey	NVTFS5811NLWFTWG-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NVTFS5811NLWFTWG
Descripción	MOSFET N-CH 40V 16A 8WDFN
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 16 A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) 8-WDFN (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NVTFS5811NLWFTWG Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	16 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.7mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1570 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.2W (Ta), 21W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerWDFN
Número de producto base	NVTFS5811