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Producto del mercado
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
NXH003P120M3F2PTHG | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 5556-NXH003P120M3F2PTHG-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | NXH003P120M3F2PTHG |
Descripción | MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM |
Plazo estándar del fabricante | 21 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 350A (Tc) 979W (Tc) Montaje de chasis 36-PIM (56.7x62.8) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | onsemi | |
Serie | - | |
Embalaje | Bandeja | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | Carburo de silicio (SiC) | |
Configuración | 2 canales N (medio puente) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 350A (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 5mOhm a 200A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.4V a 160mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 1195nC a 20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 20889pF a 800V | |
Potencia - Máx. | 979W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje de chasis | |
Paquete / Caja (carcasa) | Módulo | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 36-PIM (56.7x62.8) | |
Número de producto base |
Disponible para órdenes
Stock de fábrica: 300
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Bandeja
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $207.59000 | $207.59 |
| 20 | $195.54750 | $3,910.95 |
México