PJD1NA50_L2_00001 Panjit International Inc. | Productos semiconductores discretos

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PJD1NA50_L2_00001
N.º de producto de DigiKey	3757-PJD1NA50_L2_00001TR-ND - Cinta y rollo (TR) 3757-PJD1NA50_L2_00001CT-ND - Cinta cortada (CT) 3757-PJD1NA50_L2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Panjit International Inc.
Número de pieza del fabricante	PJD1NA50_L2_00001
Descripción	500V N-CHANNEL MOSFET
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 500 V 1 A (Ta) 25W (Tc) TO-252AA

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Panjit International Inc.
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	4.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	95 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	PJD1NA50