Name: PSMB050N10NS2_R2_00601
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PSMB050N10NS2_R2_00601TR-ND
Price: 2.93 USD
Availability: OutOfStock

TO-263-3, DҐak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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PSMB050N10NS2_R2_00601
N.º de producto de DigiKey	3757-PSMB050N10NS2_R2_00601TR-ND - Cinta y rollo (TR) 3757-PSMB050N10NS2_R2_00601CT-ND - Cinta cortada (CT) 3757-PSMB050N10NS2_R2_00601DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Panjit International Inc.
Número de pieza del fabricante	PSMB050N10NS2_R2_00601
Descripción	100V/ 5MOHM/ LOW FOM MOSFET
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 120 A (Tj) 138W (Tc) TO-263
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Panjit International Inc.
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	120 A (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.8V a 270µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3910 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	138W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	PSMB050N10