HAT2166H-EL-E Renesas Electronics Corporation | Productos semiconductores discretos

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HAT2166H-EL-E
N.º de producto de DigiKey	HAT2166H-EL-ETR-ND - Cinta y rollo (TR) HAT2166H-EL-ECT-ND - Cinta cortada (CT) HAT2166H-EL-EDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	HAT2166H-EL-E
Descripción	MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 45 A (Ta) 25W (Tc) LFPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	HAT2166H-EL-E Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	45 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.8mOhm a 22.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	27 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4400 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	LFPAK
Paquete / Caja (carcasa)	SC-100, SOT-669
Número de producto base	HAT2166

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