N0439N-S19-AY Renesas Electronics Corporation | Productos semiconductores discretos

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N0439N-S19-AY
N.º de producto de DigiKey	N0439N-S19-AY-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	N0439N-S19-AY
Descripción	MOSFET N-CH 40V 90A TO220
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 40 V 90A (Tc) 1.8W (Ta), 147W (Tc) TO-220
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	N0439N-S19-AY Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	90A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.3mOhm a 45A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5850 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.8W (Ta), 147W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	N0439N-S19