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NP109N04PUG-E1-AY

N.º de producto de DigiKey
NP109N04PUG-E1-AY-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante
NP109N04PUG-E1-AY
Descripción
MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 40 V 110A (Tc) 1.8W (Ta), 220W (Tc) TO-263-3
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
NP109N04PUG-E1-AY Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
110A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2.3mOhm a 55A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
15750 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
1.8W (Ta), 220W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base
NP109N04
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