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TO-252-3
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NP52N055SUG-E1-AY

N.º de producto de DigiKey
NP52N055SUG-E1-AY-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante
NP52N055SUG-E1-AY
Descripción
MOSFET N-CH 55V 52A TO252
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 55 V 52A (Tc) 1.2W (Ta), 56W (Tc) TO-252 (MP-3ZK)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
NP52N055SUG-E1-AY Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
52A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
14mOhm a 26A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3200 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
1.2W (Ta), 56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252 (MP-3ZK)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base
NP52N055
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