Name: RJK03M4DPA-00#J5A
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RJK03M4DPA-00#J5ATR-ND
Price: 2.39 USD
Availability: OutOfStock

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RJK03M4DPA-00#J5A
N.º de producto de DigiKey	559-RJK03M4DPA-00#J5ATR-ND - Cinta y rollo (TR) 559-RJK03M4DPA-00#J5ACT-ND - Cinta cortada (CT) 559-RJK03M4DPA-00#J5ADKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	RJK03M4DPA-00#J5A
Descripción	MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 35 A (Ta) 30W (Tc) 8-WPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RJK03M4DPA-00#J5A Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	35 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.6mOhm a 17.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	-
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2170 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-WPAK
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 8-WFDFN
Número de producto base	RJK03M4