Name: RJK0851DPB-00#J5
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: RJK0851DPB-00#J5TR-ND
Price: 2.59 USD
Availability: OutOfStock

RJK0851DPB-00#J5 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Similar

Renesas Electronics Corporation

En stock: 0

Precio por unidad : $0.00000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

RJK0851DPB-00#J5
N.º de producto de DigiKey	RJK0851DPB-00#J5TR-ND - Cinta y rollo (TR) RJK0851DPB-00#J5CT-ND - Cinta cortada (CT) RJK0851DPB-00#J5DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	RJK0851DPB-00#J5
Descripción	MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 20 A (Ta) 45W (Tc) LFPAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RJK0851DPB-00#J5 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	23mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	14 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2050 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	LFPAK
Paquete / Caja (carcasa)	SC-100, SOT-669
Número de producto base	RJK0851