RJK60S7DPP-E0#T2 Renesas Electronics Corporation | Productos semiconductores discretos

RJK60S7DPP-E0#T2 es obsoleto y ya no se fabrica.

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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

RJK60S7DPP-E0#T2
N.º de producto de DigiKey	RJK60S7DPP-E0#T2-ND
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	RJK60S7DPP-E0#T2
Descripción	MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 30 A (Tc) 34.7W (Tc) TO-220FP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RJK60S7DPP-E0#T2 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	125mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	-
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+30V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2300 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	34.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220FP
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo