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RQJ0303PGDQA#H6 es obsoleto y ya no se fabrica.
Reemplazos disponibles:
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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
RQJ0303PGDQA#H6 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | RQJ0303PGDQA#H6-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | RQJ0303PGDQA#H6 |
Descripción | MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 30 V 3.3 A (Ta) 800mW (Ta) 3-MPAK |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | RQJ0303PGDQA#H6 Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Cinta y rollo (TR) | |
Estado de pieza | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 68mOhm a 1.6A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | - | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | +10V, -20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 625 pF @ 10 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 800mW (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 3-MPAK | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Obsoleto
México