AUIRFZ24NS Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

AUIRFZ24NS
N.º de producto de DigiKey	AUIRFZ24NS-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	AUIRFZ24NS
Descripción	MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 55 V 17A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) TO-252AA (DPAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	AUIRFZ24NS Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	55 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	17A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	70mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	370 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.8W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA (DPAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	AUIRFZ24