FCP650N80Z es obsoleto y ya no se fabrica.

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FCP650N80Z
N.º de producto de DigiKey	FCP650N80Z-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FCP650N80Z
Descripción	MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 800 V 10A (Tc) 162W (Tc) TO-220
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FCP650N80Z Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	SuperFET® II
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	650mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 800µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1565 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	162W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	FCP650