FDZ209N Fairchild Semiconductor | Productos semiconductores discretos

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FDZ209N
N.º de producto de DigiKey	2156-FDZ209N-FSTR-ND
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Número de pieza del fabricante	FDZ209N
Descripción	MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 4 A (Ta) 2W (Ta) 12-BGA (2x2.5)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	80mOhm a 4A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	9 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	657 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	12-BGA (2x2.5)
Paquete / Caja (carcasa)	12-WFBGA