FFAF10U170STU
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H5N2305P-E

N.º de producto de DigiKey
2156-H5N2305P-E-ND
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante
H5N2305P-E
Descripción
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 230 V 35 A (Ta) 60W (Tc) TO-3PFM
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Serie
-
Embalaje
Granel
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
230 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
35 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
700mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-3PFM
Paquete / Caja (carcasa)
TO-3PFM, SC-93-3
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