NGTB40N65IHL2WG onsemi | Productos semiconductores discretos

NGTB40N65IHL2WG
N.º de producto de DigiKey	NGTB40N65IHL2WGOS-ND
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NGTB40N65IHL2WG
Descripción	IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	IGBT Parada de campo de trinchera 650 V 80 A 300 W Orificio pasante TO-247-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NGTB40N65IHL2WG Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores IGBT IGBT simple
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo IGBT	Parada de campo de trinchera
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)	650 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)	80 A
Corriente - colector impulsado (Icm)	160 A
Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic	2.2V a 15V, 40A
Potencia - Máx.	300 W
Energía de conmutación	360µJ (Apagado)
Tipo de entrada	Estándar
Carga de compuerta	135 nC
Td (encendido/apagado) a 25ºC	-/140ns
Condiciones de prueba	400V, 40A, 10Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr)	465 ns
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-3
Número de producto base	NGTB40