ISL9N302AS3
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RF1S23N06LE

N.º de producto de DigiKey
2156-RF1S23N06LE-ND
Fabricante
Harris Corporation
Número de pieza del fabricante
RF1S23N06LE
Descripción
23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 60 V 23 A (Tc) 75W (Tc) I2PAK (TO-262)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Harris Corporation
Serie
-
Embalaje
Granel
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
23 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
65mOhm a 23A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id
2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
850 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
I2PAK (TO-262)
Paquete / Caja (carcasa)
Conductores largos TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
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