Name: HP8M31TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HP8M31TB1TR-ND
Price: 2.97 USD
Availability: OutOfStock

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HP8M31TB1
Número de pieza de DigiKey	HP8M31TB1TR-ND - Cinta y rollo (TR) HP8M31TB1CT-ND - Cinta cortada (CT) HP8M31TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	HP8M31TB1
Descripción	MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 60V 8.5A (Ta) 3W (Ta) Montaje en superficie 8-HSOP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	HP8M31TB1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Canal N y P
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8.5A (Ta)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	65mOhm a 8.5A, 10V, 70mOhm a 8.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12.3nC a 10V, 38nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	470pF a 30V, 2300pF a 30V
Potencia - Máx.	3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSOP
Número de producto base	HP8M31