Name: HP8MA2TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HP8MA2TB1TR-ND
Price: 1.81 USD
Availability: OutOfStock

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HP8MA2TB1
N.º de producto de DigiKey	HP8MA2TB1TR-ND - Cinta y rollo (TR) HP8MA2TB1CT-ND - Cinta cortada (CT) HP8MA2TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	HP8MA2TB1
Descripción	MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 18A (Ta), 15A (Ta) 3W (Ta) Montaje en superficie 8-HSOP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	HP8MA2TB1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Canal N y P
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	18A (Ta), 15A (Ta)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9.6mOhm a 18A, 10V, 17.9mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	22nC a 10V, 25nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1100pF a 15V, 1250pF a 15V
Potencia - Máx.	3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSOP
Número de producto base	HP8MA2