Name: HS8K1TB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HS8K1TBTR-ND
Price: 0.86 USD
Availability: OutOfStock

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HS8K1TB
N.º de producto de DigiKey	HS8K1TBTR-ND - Cinta y rollo (TR) HS8K1TBCT-ND - Cinta cortada (CT) HS8K1TBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	HS8K1TB
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 10A (Ta), 11A (Ta) 2W (Ta) Montaje en superficie HSML3030L10
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	10A (Ta), 11A (Ta)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	14.6mOhm a 10A, 10V, 11.8mOhm a 11A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6nC a 10V, 7.4nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	348pF a 15V, 429pF a 15V
Potencia - Máx.	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 8-UDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	HSML3030L10
Número de producto base	HS8K1