
HS8K1TB | |
|---|---|
Número de pieza de DigiKey | HS8K1TBTR-ND - Cinta y rollo (TR) HS8K1TBCT-ND - Cinta cortada (CT) HS8K1TBDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | HS8K1TB |
Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10 |
Plazo estándar del fabricante | 16 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 30V 10A (Ta), 11A (Ta) 2W (Ta) Montaje en superficie HSML3030L10 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Rohm Semiconductor | |
Serie | - | |
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | Dos canal N (doble) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 10A (Ta), 11A (Ta) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 14.6mOhm a 10A, 10V, 11.8mOhm a 11A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.5V a 1mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 6nC a 10V, 7.4nC a 10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 348pF a 15V, 429pF a 15V | |
Potencia - Máx. | 2W (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | Placa descubierta 8-UDFN | |
Paquete del dispositivo del proveedor | HSML3030L10 | |
Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $0.89000 | $0.89 |
| 10 | $0.69600 | $6.96 |
| 100 | $0.48250 | $48.25 |
| 500 | $0.41010 | $205.05 |
| 1,000 | $0.37252 | $372.52 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.29682 | $890.46 |
| 6,000 | $0.29376 | $1,762.56 |
| 9,000 | $0.28560 | $2,570.40 |
| 15,000 | $0.28000 | $4,200.00 |






