Name: HT8KE6TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-HT8KE6TB1TR-ND
Price: 2.17 USD
Availability: OutOfStock

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HT8KE6TB1
N.º de producto de DigiKey	846-HT8KE6TB1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-HT8KE6TB1CT-ND - Cinta cortada (CT) 846-HT8KE6TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	HT8KE6TB1
Descripción	MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 100V 4.5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 14W (Tc) Montaje en superficie 8-HSMT (3.2x3)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	57mOhm a 4.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.7nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	305pF a 50V
Potencia - Máx.	2W (Ta), 14W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSMT (3.2x3)