Name: QS5U12TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS5U12TR-ND
Price: 0.67 USD
Availability: OutOfStock

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QS5U12TR
N.º de producto de DigiKey	QS5U12TR-ND - Cinta y rollo (TR) QS5U12CT-ND - Cinta cortada (CT) QS5U12DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	QS5U12TR
Descripción	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 2 A (Ta) 1.25W (Ta) TSMT5
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	QS5U12TR Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	100mOhm a 2A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	175 pF @ 10 V
Característica de FET	Diodo Schottky (aislado)
Disipación de potencia (Máx.)	1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TSMT5
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-5 delgado, TSOT-23-5
Número de producto base	QS5U12