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QS8J12TCR

N.º de producto de DigiKey
QS8J12TCR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Número de pieza del fabricante
QS8J12TCR
Descripción
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Referencia del cliente
Descripción detallada
MOSFET - Arreglos 12V 4.5A 550mW Montaje en superficie TSMT8
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Activo
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Configuración
Dos canal P (doble)
Característica de FET
Compuerta de nivel lógico, controlador de 1.5V
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
4.5A
Rds On (máx) @ Id, Vgs
29mOhm a 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
40nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4200pF a 6V
Potencia - Máx.
550mW
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)
8-SMD, conductores planos
Paquete del dispositivo del proveedor
TSMT8
Número de producto base
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