Name: QS8J4TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS8J4TR-ND
Price: 1.64 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

QS8J4TR
N.º de producto de DigiKey	QS8J4TR-ND - Cinta y rollo (TR) QS8J4CT-ND - Cinta cortada (CT) QS8J4DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	QS8J4TR
Descripción	MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 4A 550mW Montaje en superficie TSMT8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	QS8J4TR Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal P (doble)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	56mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	13nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	800pF a 10V
Potencia - Máx.	550mW
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-SMD, conductores planos
Paquete del dispositivo del proveedor	TSMT8
Número de producto base	QS8J4