Name: R6002ENHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R6002ENHTB1TR-ND
Price: 1.41 USD
Availability: OutOfStock

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R6002ENHTB1
N.º de producto de DigiKey	846-R6002ENHTB1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-R6002ENHTB1CT-ND - Cinta cortada (CT) 846-R6002ENHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	R6002ENHTB1
Descripción	600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 1.7 A (Ta) 2W (Ta) 8-SOP
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	3.4Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	65 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOP
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	R6002