R6007ENX Rohm Semiconductor | Productos de semiconductores discretos

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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

R6007ENX
Número de pieza de DigiKey	R6007ENX-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	R6007ENX
Descripción	MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 7A (Tc) 40W (Tc) TO-220FM
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	R6007ENX Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	620mOhm a 2.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	390 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220FM
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	R6007