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TO-220-3
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TO-220-3
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6009JNXC7G

N.º de producto de DigiKey
R6009JNXC7G-ND
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
R6009JNXC7G
Descripción
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Plazo estándar del fabricante
18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 9A (Tc) 53W (Tc) TO-220FM
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
9A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
585 mOhm a 4.5A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id
7V a 1.38mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
22 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
645 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
53W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220FM
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3 paquete completo
Número de producto base
R6009
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Cantidad Precio por unidad Precio ext.
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50$1.40640$70.32
100$1.38180$138.18
500$1.29224$646.12
1,000$0.74744$747.44
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Paquete estándar del fabricante
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