Name: R6009RND3TL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R6009RND3TL1TR-ND
Price: 1.51 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

R6009RND3TL1
N.º de producto de DigiKey	846-R6009RND3TL1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-R6009RND3TL1CT-ND - Cinta cortada (CT) 846-R6009RND3TL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	R6009RND3TL1
Descripción	600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 9A (Tc) 125W (Tc) TO-252
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	665mOhm a 4.5A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id	7V a 5.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	22 nC @ 15 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	640 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	R6009