Name: R6012FNX
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6012FNX-ND
Price: 2.512 USD
Availability: OutOfStock

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R6012FNX
Número de pieza de DigiKey	R6012FNX-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	R6012FNX
Descripción	MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 12A (Tc) 50W (Tc) TO-220FM
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	R6012FNX Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	No para diseños nuevos
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	510mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1300 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220FM
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	R6012

R6012FNX