R6020KNX está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.
Reemplazos disponibles:

Similar

AOTF190A60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
En stock: 0
Precio por unidad : $0.00000
Hoja de datos

Similar

AOTF25S65
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
En stock: 0
Precio por unidad : $1.74035
Hoja de datos

Similar

IPA65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Precio por unidad : $2.94000
Hoja de datos

Similar

IXKC15N60C5
IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : $3.20880

Similar

IXKC20N60C
IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : $0.00000

Similar

IXKP20N60C5M
IXYS
En stock: 0
Precio por unidad : $0.00000
Hoja de datos

Similar

SPA21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Precio por unidad : $0.00000
Hoja de datos

Similar

TK16A60W5,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 0
Precio por unidad : $3.55000
Hoja de datos

Similar

TK20A60W,S5VX
Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 0
Precio por unidad : $3.84000
Hoja de datos
Ver y comparar todos los reemplazos
Canal N Orificio pasante 600 V 20A (Tc) 68W (Tc) TO-220FM
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
Canal N Orificio pasante 600 V 20A (Tc) 68W (Tc) TO-220FM
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6020KNX

Número de pieza de DigiKey
R6020KNX-ND
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
R6020KNX
Descripción
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Plazo estándar del fabricante
18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 600 V 20A (Tc) 68W (Tc) TO-220FM
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
R6020KNX Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Granel
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
20A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
196mOhm a 9.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1550 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220FM
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3 paquete completo
Número de producto base
R6020
Preguntas y respuestas sobre el producto

Vea lo que preguntan los ingenieros, haga sus propias preguntas o ayude a un miembro de la comunidad de ingenieros de DigiKey

0 en stock