Name: R8002KND3TL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R8002KND3TL1TR-ND
Price: 1.94 USD
Availability: OutOfStock

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R8002KND3TL1
N.º de producto de DigiKey	846-R8002KND3TL1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-R8002KND3TL1CT-ND - Cinta cortada (CT) 846-R8002KND3TL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	R8002KND3TL1
Descripción	HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Plazo estándar del fabricante	30 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 800 V 1.6A (Ta) 30W (Tc) TO-252GE
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.6A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.2Ohm a 800mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 150µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	7.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	140 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252GE
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	R8002