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TO-220-3
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R8008ANX

N.º de producto de DigiKey
R8008ANX-ND
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
R8008ANX
Descripción
MOSFET N-CH 800V 8A TO220FM
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 800 V 8 A (Ta) 50W (Tc) TO-220FM
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
R8008ANX Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Granel
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.03Ohm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1080 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220FM
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3 paquete completo
Número de producto base
R8008
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