Name: RAL025P01TCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RAL025P01TCRTR-ND
Price: 0.49 USD
Availability: OutOfStock

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RAL025P01TCR
N.º de producto de DigiKey	RAL025P01TCRTR-ND - Cinta y rollo (TR) RAL025P01TCRCT-ND - Cinta cortada (CT) RAL025P01TCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RAL025P01TCR
Descripción	MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12 V 2.5 A (Ta) 320mW (Ta) TUMT6
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RAL025P01TCR Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	62mOhm a 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	16 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	-8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2000 pF @ 6 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	320mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TUMT6
Paquete / Caja (carcasa)	6-SMD, conductores planos
Número de producto base	RAL025