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RB098BM-40FNSTL
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RCD080N25TL

N.º de producto de DigiKey
RCD080N25TLTR-ND - Cinta y rollo (TR)
RCD080N25TLCT-ND - Cinta cortada (CT)
RCD080N25TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
RCD080N25TL
Descripción
MOSFET N-CH 250V 8A CPT3
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 250 V 8 A (Ta) 850mW (Ta), 20W (Tc) CPT3
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
RCD080N25TL Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Última compra
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
300mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1440 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
CPT3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base
RCD080
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Fecha de la última compra: 31/03/2027