Name: RD3H200SNTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3H200SNTL1TR-ND
Price: 1.57 USD
Availability: InStock

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RD3H200SNTL1
N.º de producto de DigiKey	RD3H200SNTL1TR-ND - Cinta y rollo (TR) RD3H200SNTL1CT-ND - Cinta cortada (CT) RD3H200SNTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RD3H200SNTL1
Descripción	MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 45 V 20A (Ta) 20W (Tc) TO-252
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RD3H200SNTL1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	45 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	28mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	950 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	RD3H200