Name: RD3T050CNTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3T050CNTL1TR-ND
Price: 1.39 USD
Availability: OutOfStock

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RD3T050CNTL1
N.º de producto de DigiKey	RD3T050CNTL1TR-ND - Cinta y rollo (TR) RD3T050CNTL1CT-ND - Cinta cortada (CT) RD3T050CNTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RD3T050CNTL1
Descripción	MOSFET N-CH 200V 5A TO252
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 200 V 5A (Tc) 29W (Tc) TO-252
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RD3T050CNTL1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	760mOhm a 2.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5.25V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	330 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	29W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	RD3T050