Name: RF4E060AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E060AJTCRTR-ND
Price: 0.73 USD
Availability: OutOfStock

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RF4E060AJTCR
N.º de producto de DigiKey	RF4E060AJTCRTR-ND - Cinta y rollo (TR) RF4E060AJTCRCT-ND - Cinta cortada (CT) RF4E060AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RF4E060AJTCR
Descripción	MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 6 A (Ta) 2W (Ta) HUML2020L8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RF4E060AJTCR Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	37mOhm a 6A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	450 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	HUML2020L8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerUDFN
Número de producto base	RF4E060