Name: RH7L03BBKFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RH7L03BBKFRATCBTR-ND
Price: 1.05 USD
Availability: OutOfStock

Nuevo en DigiKey

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RH7L03BBKFRATCB
N.º de producto de DigiKey	846-RH7L03BBKFRATCBTR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RH7L03BBKFRATCBCT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RH7L03BBKFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RH7L03BBKFRATCB
Descripción	NCH 60V 35A, DFN3333T8LSAB, POWE
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 35 A (Ta) 33W (Tc) DFN3333T8LSAB
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	35 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	375 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DFN3333T8LSAB
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN