Name: RQ1E070RPTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ1E070RPTR-ND
Price: 1.54 USD
Availability: OutOfStock

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RQ1E070RPTR
N.º de producto de DigiKey	RQ1E070RPTR-ND - Cinta y rollo (TR) RQ1E070RPCT-ND - Cinta cortada (CT) RQ1E070RPDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ1E070RPTR
Descripción	MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 7 A (Ta) 550mW (Ta) TSMT8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RQ1E070RPTR Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	17mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	26 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2700 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	550mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TSMT8
Paquete / Caja (carcasa)	8-SMD, conductores planos
Número de producto base	RQ1E070