Name: RQ3C150BCTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3C150BCTBTR-ND
Price: 1.18 USD
Availability: OutOfStock

RQ3C150BCTB está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Similar

Diodes Incorporated

En stock: 0

Precio por unidad : $1.06000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

RQ3C150BCTB
N.º de producto de DigiKey	RQ3C150BCTBTR-ND - Cinta y rollo (TR) RQ3C150BCTBCT-ND - Cinta cortada (CT) RQ3C150BCTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ3C150BCTB
Descripción	MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 30A (Tc) 20W (Tc) 8-HSMT (3.2x3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RQ3C150BCTB Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.7mOhm a 15A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.2V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	60 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4800 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	RQ3C150