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DMN3027LFG-7
Diodes Incorporated
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RQ3E120ATTB
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RQ3E120ATTB
8 HSMT
ROHM MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications | Digi-Key Daily

RQ3E080GNTB

N.º de producto de DigiKey
RQ3E080GNTBTR-ND - Cinta y rollo (TR)
RQ3E080GNTBCT-ND - Cinta cortada (CT)
RQ3E080GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
RQ3E080GNTB
Descripción
MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Plazo estándar del fabricante
21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 30 V 8 A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) 8-HSMT (3.2x3)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
RQ3E080GNTB Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
8 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
16.7mOhm a 8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
295 pF @ 15 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
2W (Ta), 15W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerVDFN
Número de producto base
RQ3E080
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$0.65000$0.65
10$0.39900$3.99
100$0.19790$19.79
500$0.19356$96.78
1,000$0.17356$173.56
*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de $7.00.
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
3,000$0.12546$376.38
6,000$0.12240$734.40
9,000$0.11934$1,074.06
15,000$0.11933$1,789.95
21,000$0.11706$2,458.26
30,000$0.11284$3,385.20
75,000$0.10875$8,156.25
Paquete estándar del fabricante