Name: RQ3G110ATTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3G110ATTBTR-ND
Price: 2.16 USD
Availability: OutOfStock

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RQ3G110ATTB
N.º de producto de DigiKey	846-RQ3G110ATTBTR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RQ3G110ATTBCT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RQ3G110ATTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ3G110ATTB
Descripción	PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 40 V 11A (Ta), 35A (Tc) 2W (Ta) 8-HSMT (3.2x3)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11A (Ta), 35A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	12.4mOhm a 11A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2750 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	RQ3G110