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Canal N Montaje en superficie 60 V 12A (Tc) 14.8W (Tc) 8-HSMT (3.2x3)
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Canal N Montaje en superficie 60 V 12A (Tc) 14.8W (Tc) 8-HSMT (3.2x3)
8 HSMT

RQ3L050GNTB

Número de pieza de DigiKey
RQ3L050GNTBTR-ND - Cinta y rollo (TR)
RQ3L050GNTBCT-ND - Cinta cortada (CT)
RQ3L050GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
RQ3L050GNTB
Descripción
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 60 V 12A (Tc) 14.8W (Tc) 8-HSMT (3.2x3)
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Modelos EDA/CAD
RQ3L050GNTB Modelos
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Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
No para diseños nuevos
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
12A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
61mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V a 25µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
2.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
300 pF @ 30 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
14.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerVDFN
Número de producto base
RQ3L050
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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
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1$1.10000$1.10
10$0.76400$7.64
100$0.50290$50.29
500$0.39080$195.40
1,000$0.35470$354.70
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Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
3,000$0.26375$791.25
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